1.朗伯-比爾定律
因此，TDLAS技術是一種高分辨率的光譜吸收技術，(星空体育官网有实力)半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述式中，IV，0和IV 分別表示頻率V的激光入射時和經過壓力P，濃度X和光程L的氣體後的光強；S（T）表示氣體吸收譜線的強度；線性函數g（v-v0）表征該吸收譜線的形狀。通常情況下氣體的吸收較小，可用式（4-2）來近似表達氣體的吸收。這些關係式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。
2.光譜線的線強
氣體(ti) 分子的吸收總是和分子內(nei) 部從(cong) 低能態到高能態的能級躍遷相聯係的。線強S（T）反映了躍遷過程中受激吸收、受激輻射和自發輻射之間強度的淨效果，是吸收光譜譜線*基本的屬性，由能級間躍遷概率經及處於(yu) 上下能級的分子數目決(jue) 定。分子在不同能級之間的分布受溫度的影響，因此光譜線的線強也與(yu) 溫度相關(guan) 。如果知道參考線強S（T0），(星空体育官网有实力)其他溫度下的線強可以由下式求出式中，Q（T）為(wei) 分子的配分函數；h為(wei) 普朗克常數；c為(wei) 光速；k為(wei) 波爾茲(zi) 曼常數；En為(wei) 下能級能量。各種氣體(ti) 的吸收譜線的線強S（T0）可以查閱相關(guan) 的光譜數據庫。
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